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大聯大品佳集團推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統成本。

  大聯大品佳代理的英飛凌的這款SiC MOSFET帶來的影響非常顯著。電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上。還能帶來諸多益處,如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量,便于打造更小、更輕的系統,從而減少運輸工作量,并且更便于安裝。新解決方案有助于節能的特點由電源轉換設計人員來實現。這些應用的性能、效率和系統靈活性也將提升至全面層面。

  這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領域多年的開發經驗,基于先進的溝槽半導體工藝,代表著Infineon CoolSiC產品家族的最新發展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻(RDS(ON))額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝,4引腳封裝有一個額外的源極連接端子(Kelvin),作為門極驅動的信號管腳,以消除由于源極電感引起的壓降的影響,這可以進一步降低開關損耗,特別是在更高開關頻率時。

  另外,大聯大品佳代理的Infineon還推出基于SiC MOSFET技術的1200V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接,有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計,每種封裝的模塊均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)額定值選項。

 特色

  Infineon的CoolSiC MOSFET采用溝槽柵技術,兼具可靠性與性能優勢,在動態損耗方面樹立了新標桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數量級。該MOSFET完全兼容通常用于驅動IGBT的+15 V/-5V電壓。它們將4V基準閾值額定電壓(Vth)與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來。與Si IGBT相比的關鍵優勢包括:低溫度系數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

  這些晶體管能像IGBT一樣得到控制,在發生故障時得以安全關閉,此外,Infineon碳化硅MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度,因此可以輕松優化EMC性能。

應用 

 當前針對光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統等應用的系統改進,此后可將其范圍擴大到工業變頻器。





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2018年新到貨:

SAE800G  INFINEON   2017+   4000PCS

FDL100N50F  FAIRCHILD   2017+  1125pcs

AME8500BEETAF29Z    AME  2015+   6000pcs

MAX6499ATA+T     MAXIM    2016+    2500pcs

PE3336-53   PEREGRINE   08+    6000pcs

PE3236-21   PEREGRINE   08+    4800pcs

BTW69-1200RG     ST   2017+   6000pcs

SN65220DBVT    TI   2017+     9000pcs

SI4133-GT   Silicon  2017+     3000pcs

STM32F103VET6    ST  2017+   1000pcs

STM32F105VCT6    ST   2017+   1000pcs

NUP2105LT1G     ON   2018+    100000pcs

SGB10N60A     INF    2011+    6000pcs

XTR105UA    TI    2018+    5000pcs

TPS74801DRCR     TI    2017+   5000pcs

ACPL-M43T-500E   Avago  2017+    4500pcs

SPN1001-FV1    SPIN   2017+    1000pcs

MAX706TMJA     MAXIM    2016+   500pcs

TPA6132A2RTER   TI   2017+      10000pcs

                                               


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